MOSFET canal N Nexperia 335 mA 55 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSH111BK

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Code commande RS:
170-4850
Référence fabricant:
BSH111BKR
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

335mA

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Série

BSH111BK

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.1Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1.45W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4mm

Hauteur

1mm

Longueur

3mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Transistors MOSFET de niveau logique et standard dans divers boîtiers. Les transistors MOSFET robustes et faciles à utiliser sont disponibles dans la plage de 40 à 60 V. Ils sont parfaits pour les applications à espace et puissance limités, offrant d'excellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) de pointe.

Transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal N, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 (TO-236AB) utilisant la technologie MOSFET à tranchée

Faible tension de seuil

Commutation très rapide

Technologie MOSFET à tranchée

Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) > HBM 3 kV

Driver de relais

Driver de ligne haut débit

Commutateur de charge "faible puissance"

Circuits de commutation

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