MOSFET canal N Vishay 8 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SQ Rugged AEC-Q101
- Code commande RS:
- 170-8306
- Référence fabricant:
- SQS462EN-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*
783,00 €
HT
939,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,261 € | 783,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 170-8306
- Référence fabricant:
- SQS462EN-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Série | SQ Rugged | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 135mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 33W | |
| Tension directe Vf | 0.82V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Série SQ Rugged | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 135mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 33W | ||
Tension directe Vf 0.82V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 3.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Longueur 3.4mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor
La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.
Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged
• Certifié AEC-Q101
• Température de jonction jusqu'à +175 °C
• Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
• Options de boîtier innovantes à gain de place
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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