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    MOSFET Infineon canal N, TDSON 11,3 A 200 V, 8 broches

    En stock à partir du 29/11/2024, livraison sous 3 jour(s)
    Unité
    Uniquement disponible en livraison standard

    Prix pour l'unité (par multiple de 10)

    1,324 €

    HT

    1,589 €

    TTC

    Unité
    Prix par unité
    le paquet*
    10 - 401,324 €13,24 €
    50 - 901,257 €12,57 €
    100 - 2401,132 €11,32 €
    250 - 4901,018 €10,18 €
    500 +0,969 €9,69 €

    *Prix donné à titre indicatif

    Options de conditionnement :
    Code commande RS:
    171-1952
    Référence fabricant:
    BSC12DN20NS3GATMA1
    Marque:
    Infineon

    Attribut
    Valeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum11,3 A
    Tension Drain Source maximum200 V
    Type de boîtierTDSON
    SérieOptiMOS™ 3
    Type de montageCMS
    Nombre de broches8
    Résistance Drain Source maximum125 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille4V
    Tension de seuil minimale de la grille2V
    Dissipation de puissance maximum50 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum20 V
    Longueur5.35mm
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Nombre d'éléments par circuit1
    Largeur6.35mm
    Charge de Grille type @ Vgs6,5 nC @ 10 V
    Tension directe de la diode1.2V
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    Hauteur1.1mm

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