MOSFET Infineon canal N, TDSON 11,3 A 200 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 171-1952
- Référence fabricant:
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
En stock à partir du 29/11/2024, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
1,324 €
HT
1,589 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
10 - 40 | 1,324 € | 13,24 € |
50 - 90 | 1,257 € | 12,57 € |
100 - 240 | 1,132 € | 11,32 € |
250 - 490 | 1,018 € | 10,18 € |
500 + | 0,969 € | 9,69 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-1952
- Référence fabricant:
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Législation et Conformité
Détail produit
Les produits Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS sont des technologies de référence de pointe en termes de performances, parfaitement adaptées pour la rectification synchrone dans les systèmes 48 V, les convertisseurs c.c.-c.c., les alimentations sans interruption (UPS) et les inverseurs pour les entraînements de moteur c.c.
Rendement le plus élevé
Densité de puissance la plus élevée
Consommation d'espace carte la plus faible
Mise en parallèle de dispositif minimale requise
Réduction du coût du système
Densité de puissance la plus élevée
Consommation d'espace carte la plus faible
Mise en parallèle de dispositif minimale requise
Réduction du coût du système
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 11,3 A |
Tension Drain Source maximum | 200 V |
Type de boîtier | TDSON |
Série | OptiMOS™ 3 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 8 |
Résistance Drain Source maximum | 125 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
Dissipation de puissance maximum | 50 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | 20 V |
Longueur | 5.35mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Largeur | 6.35mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 6,5 nC @ 10 V |
Tension directe de la diode | 1.2V |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 1.1mm |
Nos clients ont également consulté
- MOSFET Infineon canal N, TDSON 11,3 A 200 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, TDSON 85 A 40 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, TDSON 73 A 40 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, TDSON-8 FL 192 A 60 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, TDSON 53 A 30 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, TDSON 63 A 30 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, TDSON-8 FL 145 A 40 V, 8 broches
- MOSFET Infineon canal N, TDSON-8 FL 170 A 40 V, 8 broches