Références fabricant

MOSFET canal N Toshiba 92 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOP

Name: MOSFET canal N Toshiba 92 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOP
Brand: Toshiba
SKU: 171-2201
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Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	92A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Type de Boitier	SOP
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	6mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	81W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	27nC
	Tension directe Vf	-1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	5mm
	Largeur	5mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	950μm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 92A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Type de Boitier SOP
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 6mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 81W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 27nC
	Tension directe Vf -1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 5mm
	Largeur 5mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 950μm
	Standard automobile Non

Statut RoHS non applicable

Convertisseurs c.c.-c.c. haut rendement

Régulateurs de tension à découpage

Drivers de moteur

Commutation haute vitesse

Faible charge de grille : QSW = 8,1 nC (typ.)

Faible charge de sortie : Qoss = 20,2 nC (typ.)

Faible résistance drain-source : RDS(ON) = 3 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Faible courant de fuite : IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)

Mode d'enrichissement : Vth = 1,4 à 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

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