MOSFET canal N Taiwan Semiconductor 50 A 60 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 CEI 61249
- Code commande RS:
- 171-3617
- Référence fabricant:
- TSM230N06CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
657,50 €
HT
790,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,263 € | 657,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-3617
- Référence fabricant:
- TSM230N06CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 28mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 53W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Standard automobile | CEI 61249 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 28mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 53W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.5mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Standard automobile CEI 61249 | ||
Taiwan Semiconductor 60 V, 50 A, 28 mΩ, 3 broches, MOSFET de puissance à canal N avec configuration à transistor unique et mode de canal d'amélioration.
Testé à 100 % en avalanche
Commutation rapide
Conforme à la directive RoHS
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. de 53 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 1,2 et 2,5 V.
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