MOSFET canal N ROHM 2.5 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SC-96 RQ5E025SN
- Code commande RS:
- 171-9804
- Référence fabricant:
- RQ5E025SNTL
- Marque:
- ROHM
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Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-9804
- Référence fabricant:
- RQ5E025SNTL
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | RQ5E025SN | |
| Type de Boitier | SC-96 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 118mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3mm | |
| Hauteur | 950μm | |
| Largeur | 1.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série RQ5E025SN | ||
Type de Boitier SC-96 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 118mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3mm | ||
Hauteur 950μm | ||
Largeur 1.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le modèle RQ5E025SN est un transistor MOSFET à petit signal doté d'une faible résistance à l'état passant et d'une diode de protection G-S intégrée. Il est adapté pour la commutation.
Faible résistance à l'état passant.
Diode de protection G-S intégrée.
Boîtier de montage en surface compact (TSMT3).
Placage sans plomb
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