MOSFET canal N ROHM 24 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 R6024ENJ
- Code commande RS:
- 172-0366
- Référence fabricant:
- R6024ENJTL
- Marque:
- ROHM
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
2 336,00 €
HT
2 803,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,336 € | 2 336,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 172-0366
- Référence fabricant:
- R6024ENJTL
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 24A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | R6024ENJ | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 320mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 245W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 9.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 4.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 24A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série R6024ENJ | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 320mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 245W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 9.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 4.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors MOSFET de puissance sont des dispositifs à faible résistance fabriqués à l'aide de la technologie de micro-traitement, utiles pour une large gamme d'applications. La large gamme couvre les types compacts, les types haute puissance et les types complexes pour répondre aux divers besoins du marché.
Faible résistance à l'état passant.
Vitesse de commutation élevée.
Tension grille-source (VGSS) garantie de ±20 V.
Les circuits d'entraînement peuvent être simples.
Une utilisation en parallèle est facile.
Placage sans plomb
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