MOSFET canal N ROHM 50 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 RD3G500GN

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Code commande RS:
172-0437
Référence fabricant:
RD3G500GNTL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-252

Série

RD3G500GN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

31nC

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Longueur

6.8mm

Hauteur

2.3mm

Largeur

6.4mm

Standard automobile

Non

Le RD3G500GN est un transistor MOSFET à faible résistance à l'état passant pour application de commutation.

Faible résistance à l'état passant

Boîtier haute puissance (TO-252)

Placage sans plomb

Sans halogène

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