MOSFET canal N onsemi 59 A 40 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 NVD5C464N AEC-Q101
- Code commande RS:
- 172-3367
- Référence fabricant:
- NVD5C464NT4G
- Marque:
- onsemi
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- 172-3367
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- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 59A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | NVD5C464N | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 20nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 40W | |
| Tension directe Vf | 0.9V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 2.25mm | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 59A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série NVD5C464N | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 20nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 40W | ||
Tension directe Vf 0.9V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 2.25mm | ||
Largeur 6.22mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET SuperFET® III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et une performance de charge de grille plus basse. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SuperFET III est parfaitement adapté pour divers systèmes d'alimentation en termes de miniaturisation et de rendement plus élevé.
700 V @ TJ = 150 °C
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Très faible charge de grille (typ. Qg = 259 nC)
Perte de commutation plus faible
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 1 972 pF)
Perte de commutation plus faible
Excellentes performances de la diode à corps (faible Qrr, diode à corps robuste)
Plus grande fiabilité du système dans le circuit de pont complet à décalage déphasé et LLC
Capacité optimisée
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Typ. RDS(on) = 23 mΩ
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