MOSFET canal N onsemi 252 A 40 V Enrichissement, 4 broches, LFPAK NVMYS1D3N04C AEC-Q101

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Code commande RS:
185-8162
Référence fabricant:
NVMYS1D3N04CTWG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

252A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

NVMYS1D3N04C

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

1.15mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

75nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

134W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Largeur

4.25mm

Hauteur

1.2mm

Standard automobile

AEC-Q101

Non conforme RoHS

Pays d'origine :
PH
MOSFET de puissance automobile dans un boîtier LFPAK 5x6mm conçu pour des conceptions compactes et efficaces et incluant des performances thermiques élevées. Compatible MOSFET et PPAP pour les applications automobiles nécessitant une fiabilité accrue au niveau de la carte.

Encombrement réduit (5 x 6 mm) pour une conception compacte

Faible RDS (marche) pour réduire les pertes de conduction

Faibles QG et capacité pour réduire les pertes de commande

Forfait LFPAK4, Norme de l'industrie

Compatible PPAP

Ces dispositifs sont sans plomb

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