MOSFET onsemi canal N, TO-220F 44 A 650 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 172-3426
- Référence fabricant:
- FCPF067N65S3
- Marque:
- onsemi
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| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 172-3426
- Référence fabricant:
- FCPF067N65S3
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Le transistor MOSFET SuperFET® III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et une performance de charge de grille plus basse. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SuperFET III est parfaitement adapté pour divers systèmes d'alimentation en termes de miniaturisation et de rendement plus élevé.
700 V @ TJ = 150 °C
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Très faible charge de grille (typ. Qg = 78 nC)
Perte de commutation plus faible
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 715 pF)
Perte de commutation plus faible
Capacité optimisée
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Typ. RDS(on) = 62 mΩ
Garantie pour le brasage à la vague
Informatique
Télécom
Industrie
Télécom/serveur
Inverseur solaire/onduleur
EVC
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Très faible charge de grille (typ. Qg = 78 nC)
Perte de commutation plus faible
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 715 pF)
Perte de commutation plus faible
Capacité optimisée
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Typ. RDS(on) = 62 mΩ
Garantie pour le brasage à la vague
Informatique
Télécom
Industrie
Télécom/serveur
Inverseur solaire/onduleur
EVC
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 44 A |
| Tension Drain Source maximum | 650 V |
| Type de boîtier | TO-220F |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 67 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4.5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 46 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±30 V |
| Longueur | 10.36mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 4.9mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Charge de Grille type @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Tension directe de la diode | 1.2V |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 16.07mm |
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