- Code commande RS:
- 759-9181
- Référence fabricant:
- FDPF15N65
- Marque:
- onsemi
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Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V.
Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.
Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 15 A |
Tension Drain Source maximum | 650 V |
Type de boîtier | TO-220F |
Série | UniFET |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 440 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 3V |
Dissipation de puissance maximum | 38.5 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
Matériau du transistor | Si |
Largeur | 4.7mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Longueur | 10.16mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Charge de Grille type @ Vgs | 48,5 nC @ 10 V |
Hauteur | 15.87mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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