MOSFET canal N onsemi 12 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 UniFET
- Code commande RS:
- 759-9175
- Référence fabricant:
- FDP12N60NZ
- Marque:
- onsemi
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- FDP12N60NZ
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 12 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 600 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | UniFET | |
| Standard automobile | Non | |
| Tension directe (Vf) | 1.4 V | |
| Hauteur | 16.51 mm | |
| Longueur | 10.67 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 650 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 240 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | Traversant | |
| Normes/homologations | No | |
| Charge de porte typique (Qg) @ Vgs | 26 nC | |
| Largeur | 4.83 mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 12 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 600 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série UniFET | ||
Standard automobile Non | ||
Tension directe (Vf) 1.4 V | ||
Hauteur 16.51 mm | ||
Longueur 10.67 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 650 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Température d'utilisation maximum 150 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 240 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage Traversant | ||
Normes/homologations No | ||
Charge de porte typique (Qg) @ Vgs 26 nC | ||
Largeur 4.83 mm | ||
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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