MOSFET canal N onsemi 17 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SuperFET II
- Code commande RS:
- 172-4632
- Référence fabricant:
- FCP190N65S3
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 172-4632
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- FCP190N65S3
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | SuperFET II | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 33nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 144W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 16.3mm | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série SuperFET II | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 33nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 144W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 16.3mm | ||
Largeur 4.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET SuperFET® III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et une performance de charge de grille plus basse. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SuperFET III est parfaitement adapté pour divers systèmes d'alimentation en termes de miniaturisation et de rendement plus élevé.
700 V @ TJ = 150 °C
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Très faible charge de grille (typ. Qg = 30 nC)
Perte de commutation plus faible
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 277 pF)
Perte de commutation plus faible
Capacité optimisée
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Résistance de grille interne : 7 ohms
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Typ. RDS(on) = 170 mΩ
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