MOSFET Microchip canal N, TO-243AA 170 mA 400 V, 3 broches

Le DN2540 est un transistor (normalement actif) à mode de déplétion à faible seuil utilisant une structure DMOS verticale avancée et un procédé de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont idéalement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée, et des commutations rapides sont souhaitées.

Caractéristiques supplémentaires :
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à l'état passant
Sans coupure auxiliaire Faible courant de fuite en entrée et en sortie