- Code commande RS:
- 177-9730
- Référence fabricant:
- VN2460N8-G
- Marque:
- Microchip
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Prix pour l'unité (par multiple de 10)
1,427 €
HT
1,712 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
10 - 20 | 1,427 € | 14,27 € |
30 - 90 | 1,353 € | 13,53 € |
100 + | 1,218 € | 12,18 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 177-9730
- Référence fabricant:
- VN2460N8-G
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Ce transistor (normalement fermé) à mode d'enrichissement utilise une structure verticale DMOS et un processus de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont idéalement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée, et des commutations rapides sont souhaitées.
Libre de débitage secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 200 mA |
Tension Drain Source maximum | 600 V |
Type de boîtier | TO-243AA |
Série | VN2460 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 25 Ω |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
Tension de seuil minimale de la grille | 1.5V |
Dissipation de puissance maximum | 1,6 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | 20 V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Largeur | 2.6mm |
Longueur | 4.6mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Tension directe de la diode | 1.5V |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 1.6mm |