MOSFET 2 canal Type P, Type N Double ROHM 9 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOP SH8MA4 Non

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Code commande RS:
177-6205
Référence fabricant:
SH8MA4TB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Type P, Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

SH8MA4

Type de Boitier

SOP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

21.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15.5nC

Tension directe Vf

-1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

3W

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.05mm

Normes/homologations

No

Longueur

5.2mm

Hauteur

1.6mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
TH
Le modèle SH8MA4TB1 est un transistor MOSFET à faible résistance à l'état passant et boîtier de montage en surface compact. Il est adapté pour la commutation.

Faible résistance à l'état passant.

Boîtier de montage en surface compact (SOP8).

Placage sans plomb

Sans halogène.

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