MOSFET 2 canal Type P, Type N Double ROHM 9 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOP SH8MA4 Non

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Code commande RS:
177-6205
Référence fabricant:
SH8MA4TB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Nombre d'éléments par circuit

2

Type de canal

Type P, Type N

Configuration du transistor

Double

Courant continu de Drain maximum (Id)

9 A

Tension Drain Source maximum (Vds)

30 V

Mode de canal

Enrichissement

Nombre de broches

8

Type de Boitier

SOP

Série

SH8MA4

Standard automobile

Non

Tension directe (Vf)

-1.2 V

Hauteur

1.6 mm

Longueur

5.2 mm

Résistance Drain Source maximum (Rds)

21.4 mΩ

Tension maximale de source de la grille (Vgs)

20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Dissipation de puissance maximum (Pd)

3 W

Température minimum de fonctionnemen

-55 °C

Type de montage

En surface

Normes/homologations

No

Charge de porte typique (Qg) @ Vgs

15.5 nC

Largeur

4.05 mm

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
TH
SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.

Low on - resistance.

Small Surface Mount Package (SOP8).

Pb-free lead plating

Halogen Free.

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