MOSFET Vishay canal P, DPAK (TO-252) 3,6 A 200 V, 3 broches

Code commande RS:: 177-7563
Référence fabricant:: IRFR9220TRPBF
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal P, DPAK (TO-252) 3,6 A 200 V, 3 broches

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Code commande RS:: 177-7563
Référence fabricant:: IRFR9220TRPBF
Marque:: Vishay

Documentation technique

IRFR9220, IRFU9220, SiHFR9220, SiHFU9220, Power MOSFET

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay utilisent des techniques de traitement Advanced pour obtenir une faible résistance par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour lequel les transistors MOSFET de puissance sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.

Technologie de processus Advanced
Commutation rapide
Entièrement en avalanche

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	3,6 A
Tension Drain Source maximum	200 V
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	1,5 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	42 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	20 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	6.22mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	6.73mm
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	2.38mm