Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	14 A
Tension Drain Source maximum	250 V
Type de boîtier	TO-220AB
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	280 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	125 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Longueur	10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs	68 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	4.7mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Hauteur	9.01mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	14 A
Tension Drain Source maximum	250 V
Type de boîtier	TO-220AB
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	280 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	125 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Longueur	10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs	68 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	4.7mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Hauteur	9.01mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 14 A 250 V, 3 broches

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