MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 9 A 200 V

Le MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor fournit au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le boîtier TO-220AB est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50 W. La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier du TO-220AB contribuent à son large acceptation dans l'ensemble de l'industrie.

Valeur nominale dynamique dV/dt
Résistant aux avalanches répétitives
Commutation rapide
Facilité de parallélisation
Exigences d'entraînement simples
Catégorie de matériau