MOSFET de puissance 1 canal N Simple Vishay 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB Non
- Code commande RS:
- 180-8623
- Référence fabricant:
- IRFB17N50LPBF
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-8623
- Référence fabricant:
- IRFB17N50LPBF
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.32Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 220W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 130nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS 2002/95/EC | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.32Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 220W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 130nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS 2002/95/EC | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le Vishay IRFB17N50L est un transistor MOSFET de puissance à canal N avec une tension de drain à source (Vds) de 500 V. Il est doté d'un boîtier TO-220AB. Il offre une résistance de drain à source (RDS.) 0,28 ohm à 10 VGS. Courant de drain maximum 16 A.
La faible charge de grille Qg entraîne un simple besoin de disque
Meilleure porte, avalanche et robustesse dV/dt dynamique
Capacité entièrement caractérisée et tension et courant d'avalanche
Faible TRR et récupération de diode souple
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