- Code commande RS:
- 178-0837
- Référence fabricant:
- IRF9610PBF
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,425 €
HT
1,71 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
50 - 50 | 1,425 € | 71,25 € |
100 - 200 | 1,211 € | 60,55 € |
250 + | 1,14 € | 57,00 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 178-0837
- Référence fabricant:
- IRF9610PBF
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
La technologie Vishay Power MOSFET est la clé d'une gamme Advanced de transistors MOSFET de puissance. La géométrie efficace et le traitement unique de la conception des transistors MOSFET de puissance offrent une très faible résistance à l'état passant combinée à une transconductance élevée et une robustesse extrême du dispositif. Le boîtier TO-220AB est universellement préféré pour toutes les applications commerciales-industrielles à des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50 W.
Puissance nominale dV/dt dynamique
Plus grande facilité de mise en parallèle
Exigences de disque simples
Plus grande facilité de mise en parallèle
Exigences de disque simples
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | 1,8 A |
Tension Drain Source maximum | 200 V |
Type de boîtier | TO-220AB |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 3 Ω |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
Dissipation de puissance maximum | 2 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Longueur | 10.41mm |
Matériau du transistor | Si |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Charge de Grille type @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
Largeur | 4.7mm |
Hauteur | 9.01mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |