MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 4 A 100 V, 3 broches

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay fournissent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à l'état passant et de rentabilité. Le boîtier TO-220AB est universellement préféré pour toutes les applications commerciales-industrielles à des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50 W.

Puissance nominale dV/dt dynamique
Résistance aux avalanches répétitives
Exigences de disque simples

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor