Références fabricant

MOSFET 2 canal N Double Vishay Siliconix 6 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101

Code commande RS:: 178-3726
Référence fabricant:: SQS944ENW-T1_GE3
Marque:: Vishay Siliconix

MOSFET 2 canal N Double Vishay Siliconix 6 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

813,00 €

975,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,271 €	813,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 178-3726
Référence fabricant:: SQS944ENW-T1_GE3
Marque:: Vishay Siliconix

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	6A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	TrenchFET
	Type de Boitier	PowerPAK 1212
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	40mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	0.82V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	7.6nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	27.8W
	Configuration du transistor	Double
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	3.15mm
	Longueur	3.15mm
	Hauteur	1.07mm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 6A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série TrenchFET
	Type de Boitier PowerPAK 1212
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 0.82V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.6nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 27.8W
	Configuration du transistor Double
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 3.15mm
	Longueur 3.15mm
	Hauteur 1.07mm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

MOSFET de puissance TrenchFET®

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