MOSFET 2 canal N Double Vishay Siliconix 6 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-3851
- Référence fabricant:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
24,10 €
HT
28,93 €
TTC
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- Expédition à partir du 06 juillet 2027
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,964 € | 24,10 € |
| 100 - 475 | 0,822 € | 20,55 € |
| 500 - 975 | 0,723 € | 18,08 € |
| 1000 + | 0,627 € | 15,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-3851
- Référence fabricant:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 60mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 27.8W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Tension directe Vf | 820mV | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 3.15mm | |
| Longueur | 3.15mm | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 27.8W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Tension directe Vf 820mV | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 3.15mm | ||
Longueur 3.15mm | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
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