MOSFET 2 canal N Double Vishay 6 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3727
Référence fabricant:
SQS966ENW-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

60mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12.1nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

27.8W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

820mV

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Double

Hauteur

1.07mm

Longueur

3.15mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.15mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
MOSFET de puissance TrenchFET®

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