MOSFET 2 canal N Double Vishay 6 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3727
Référence fabricant:
SQS966ENW-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

60mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12.1nC

Dissipation de puissance maximum Pd

27.8W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

820mV

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

3.15mm

Hauteur

1.07mm

Largeur

3.15mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
MOSFET de puissance TrenchFET®

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