Références fabricant

MOSFET 2 canal N Double Vishay Siliconix 6 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101

Code commande RS:: 178-3727
Référence fabricant:: SQS966ENW-T1_GE3
Marque:: Vishay Siliconix

MOSFET 2 canal N Double Vishay Siliconix 6 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 290,00 €

1 560,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,43 €	1 290,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 178-3727
Référence fabricant:: SQS966ENW-T1_GE3
Marque:: Vishay Siliconix

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	6A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	TrenchFET
	Type de Boitier	PowerPAK 1212
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	60mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	12.1nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	0.82V
	Dissipation de puissance maximum Pd	27.8W
	Configuration du transistor	Double
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	1.07mm
	Longueur	3.15mm
	Largeur	3.15mm
	Normes/homologations	No
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 6A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série TrenchFET
	Type de Boitier PowerPAK 1212
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.1nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf 0.82V
	Dissipation de puissance maximum Pd 27.8W
	Configuration du transistor Double
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 1.07mm
	Longueur 3.15mm
	Largeur 3.15mm
	Normes/homologations No
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

MOSFET de puissance TrenchFET®

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