MOSFET P Vishay Siliconix 16 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3883
Référence fabricant:
SQJ481EP-T1_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

16A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

90mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5.99mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.07mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Transistor MOSFET de Vishay


Le transistor MOSFET à canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 80 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 80 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 45 W et d'un courant de drain continu de 16 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 et 10 V. Il est utilisé dans les applications automobiles. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages


• Sans halogène

Sans plomb (Pb)

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Certifications


AEC-Q101

ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

• testé Rg

Testé par l'ISU

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