MOSFET P Vishay Siliconix 9.4 A 200 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

13,68 €

HT

16,42 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Dernier stock RS
  • 8 090 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 901,368 €13,68 €
100 - 4901,162 €11,62 €
500 - 9901,027 €10,27 €
1000 +0,889 €8,89 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
178-3873
Référence fabricant:
SQJ431AEP-T1_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

9.4A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

SO-8

Série

TrenchFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

760mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

55nC

Dissipation de puissance maximum Pd

68W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.07mm

Longueur

5.99mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

MOSFET de puissance TrenchFET®

Nos clients ont également consulté