Références fabricant

MOSFET P Vishay Siliconix 9.4 A 200 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101

Code commande RS:: 178-3718
Référence fabricant:: SQJ431AEP-T1_GE3
Marque:: Vishay Siliconix

MOSFET P Vishay Siliconix 9.4 A 200 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 073,00 €

2 487,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

6 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,691 €	2 073,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 178-3718
Référence fabricant:: SQJ431AEP-T1_GE3
Marque:: Vishay Siliconix

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	9.4A
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Type de Boitier	SO-8
	Série	TrenchFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	760mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	-1.2V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	55nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	68W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	5.99mm
	Hauteur	1.07mm
	Largeur	5mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 9.4A
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Type de Boitier SO-8
	Série TrenchFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 760mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf -1.2V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 55nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 68W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 5.99mm
	Hauteur 1.07mm
	Largeur 5mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

MOSFET de puissance TrenchFET®

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