MOSFET P Vishay Siliconix 30 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-3717
- Référence fabricant:
- SQJ415EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 302,00 €
HT
1 563,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,434 € | 1 302,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-3717
- Référence fabricant:
- SQJ415EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 45W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.99mm | |
| Largeur | 5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 45W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 63nC | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.99mm | ||
Largeur 5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS : Exempté
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une tension source de drain de 40 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 14 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 45 W et d'un courant de drain continu de 30 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 et 10 V. Il est utilisé dans les applications automobiles. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
AEC-Q101
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Vishay Siliconix 30 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 16 A 80 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 9.4 A 200 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay Siliconix 75 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type N 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 2.68 A 20 V Enrichissement SC-70 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 10 A 30 V Enrichissement SC-70 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay 90 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101