MOSFET canal Type N, Type P Vishay 7.3 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 736-653
- Référence fabricant:
- SQ4532CEY-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 736-653
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- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N, Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.19Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.3W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N, Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.19Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.3W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
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