MOSFET 2 canal N Double Vishay 30 A 40 V Enrichissement, 4 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 210-5048
- Référence fabricant:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Pénurie d'approvisionnement
En raison d'une pénurie d'approvisionnement mondial, nous ne savons pas quand ce produit sera à nouveau en stock.
- Code commande RS:
- 210-5048
- Référence fabricant:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 0.79V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 27W | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.37mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 0.79V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 27W | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.37mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 4.9mm | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET Vishay Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C est doté d'un boîtier PowerPAK SO-8L.
MOSFET de puissance TrenchFET®
Certifié AEC-Q101
Testé à 100 % Rg et ISU
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal Type N Double Vishay 30 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type N Double Vishay 60 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type N Double Vishay 7 A 60 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET automobile canal double canal N Vishay 21 A 60 V MOSFET PowerPAK SO-8L TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type N 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET canal Type N 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET canal Double N Vishay 23.5 A 60 V Enrichissement SO-8L TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 500 A 30 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101