MOSFET 2 canal N Double Vishay 30 A 40 V Enrichissement, 4 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
210-5049
Référence fabricant:
SQJ912DEP-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

5.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

0.79V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

24nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

27W

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Double

Largeur

4.37mm

Normes/homologations

No

Longueur

4.9mm

Hauteur

1.07mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET Vishay Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C est doté d'un boîtier PowerPAK SO-8L.

MOSFET de puissance TrenchFET®

Certifié AEC-Q101

Testé à 100 % Rg et ISU

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