MOSFET canal N Vishay 5.4 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 735-225
- Référence fabricant:
- SQ9945CEY-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 735-225
- Référence fabricant:
- SQ9945CEY-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.082Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 4W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.082Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 4W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
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