MOSFET N Vishay Siliconix 75 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3916
Référence fabricant:
SQJA76EP-T1_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

SO-8

Série

TrenchFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

66W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

66nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1.07mm

Longueur

5.99mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

MOSFET de puissance TrenchFET®

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