MOSFET N Vishay Siliconix 100 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET

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Code commande RS:
178-3934
Référence fabricant:
SiDR392DP-T1-GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

900μΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

125nC

Tension directe Vf

1.1V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.07mm

Normes/homologations

No

Longueur

5.99mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS : Exempté

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