MOSFET N Vishay Siliconix 14.4 A 250 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET
- Code commande RS:
- 178-3875
- Référence fabricant:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,76 €
HT
14,11 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 19 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,352 € | 11,76 € |
| 50 - 95 | 1,96 € | 9,80 € |
| 100 - 495 | 1,522 € | 7,61 € |
| 500 - 995 | 1,334 € | 6,67 € |
| 1000 + | 1,198 € | 5,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-3875
- Référence fabricant:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 14.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 56.8W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.99mm | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 14.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 56.8W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.99mm | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
MOSFET de puissance TrenchFET®
Boîtier PowerPAK® à faible résistance thermique
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Vishay Siliconix 14.4 A 250 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET N Vishay Siliconix 60 A 60 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET N Vishay Siliconix 100 A 30 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET N Vishay 113 A 45 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET N Vishay 126 A 100 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET N Vishay 77.4 A 150 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET N Vishay 350.8 A 30 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET N Vishay 146 A 80 V Enrichissement SO-8 TrenchFET