MOSFET canal N Vishay 146 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET
- Code commande RS:
- 228-2908
- Référence fabricant:
- SiR580DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 228-2908
- Référence fabricant:
- SiR580DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 146A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 146A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 50.6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le canal N Vishay TrenchFET est de 80 V MOSFET.
Testé à 100 % Rg et ISU
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