MOSFET P Vishay 46 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET

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Code commande RS:
228-2830
Référence fabricant:
SI7469ADP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

46A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

SO-8

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

19.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

73.5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

42.7nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1.12mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance Vishay TrenchFET à canal P est utilisé pour les commutateurs de charge, les commutateurs de batterie et la gestion de l'alimentation.

Testé à 100 % Rg et ISU

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