MOSFET canal N Vishay Siliconix 14.4 A 250 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET

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Code commande RS:
178-3665
Référence fabricant:
Si7190ADP-T1-RE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

14.4A

Tension Drain Source maximum Vds

250V

Type de Boitier

SO-8

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

110mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

56.8W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14.9nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5.99mm

Normes/homologations

No

Largeur

5mm

Hauteur

1.07mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
MOSFET de puissance TrenchFET®

Boîtier PowerPAK® à faible résistance thermique

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