MOSFET canal N Vishay Siliconix 60 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET
- Code commande RS:
- 178-3687
- Référence fabricant:
- SiR188DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 178-3687
- Référence fabricant:
- SiR188DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65.7W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 29nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.99mm | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65.7W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 29nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.99mm | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Très faible facteur de mérite RDS - Qg (FOM)
Réglé pour le plus faible facteur de mérite RDS - Qoss
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay Siliconix 60 A 60 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay Siliconix 14.4 A 250 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay Siliconix 100 A 30 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 80.3 A 60 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 373 A 60 V Enrichissement SO-8SW TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 126 A 100 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 77.4 A 150 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 146 A 80 V Enrichissement SO-8 TrenchFET