MOSFET canal N Vishay 100 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET

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Code commande RS:
134-9161
Référence fabricant:
SIR680DP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

69.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.25mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.12mm

Largeur

5.26mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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