MOSFET canal N Vishay 23.5 A 100 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET
- Code commande RS:
- 228-2829
- Référence fabricant:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 228-2829
- Référence fabricant:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 23.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 29.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17.4nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 23.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 29.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17.4nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N Vishay TrenchFET est utilisé pour les commutateurs latéraux primaires c.c./c.c., les télécommunications/serveurs, la commande d'entraînement de moteur et la rectification synchrone.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET Gen IV
Très faible valeur de mérite RDS x Qg (FOM)
Réglé pour le plus faible champ d'exploration RDS x Qoss
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