MOSFET N Vishay Siliconix 24.5 A 150 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-3903
- Référence fabricant:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
9,35 €
HT
11,22 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,935 € | 9,35 € |
| 100 - 490 | 0,794 € | 7,94 € |
| 500 - 990 | 0,701 € | 7,01 € |
| 1000 + | 0,608 € | 6,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-3903
- Référence fabricant:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 24.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 80mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 55W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.99mm | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 24.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 80mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 55W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.99mm | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS : Exempté
MOSFET de puissance TrenchFET®
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Vishay Siliconix 24.5 A 150 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay Siliconix 75 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 30 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 9.4 A 200 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay Siliconix 16 A 80 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type N 8 broches, SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 5.4 A 60 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay Siliconix 100 A 30 V Enrichissement SO-8 TrenchFET