MOSFET canal N Vishay Siliconix 24.5 A 150 V Enrichissement, 8 broches, SO-8L SQJ872EP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-3903
- Référence fabricant:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
11,52 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,152 € | 11,52 € |
| 100 - 490 | 0,978 € | 9,78 € |
| 500 - 990 | 0,864 € | 8,64 € |
| 1000 + | 0,749 € | 7,49 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-3903
- Référence fabricant:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 24.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Série | SQJ872EP | |
| Type de Boitier | SO-8L | |
| Type de montage | Circuit imprimé | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0395Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 55W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 5mm | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Longueur | 5.99mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 24.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Série SQJ872EP | ||
Type de Boitier SO-8L | ||
Type de montage Circuit imprimé | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0395Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 55W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 5mm | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Longueur 5.99mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET série SQJ872EP de Vishay, tension de source de drain de 150 V, courant de drain continu de 24,5 A - SQJ872EP-T1_GE3
Caractéristiques et avantages :
• Capacité de haute tension de 150 V permettant une largeur de commutation robuste
• Courant nominal continu de 24,5 A prenant en charge des courants de charge importants
• Charge de la grille de 14 nC permettant un contrôle de commutation efficace
• Dissipation de puissance de 55 W permettant une gestion de charge thermique soutenue
• Large tolérance de grille de ±20 V pour une conception flexible de l'entraînement de grille
Applications
• Idéal pour les réseaux de commutateurs d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé avec les convertisseurs c.c.-c.c. dans les systèmes haute tension
• Peut être utilisé pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utile dans les étapes de commutation de l'inverseur et de l'onduleur frontal
Quelle plage de température peut-il tolérer dans les installations difficiles?
Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il pour l'assemblage de la carte?
Quel est l'impact de sa tension directe sur la conception du système?
L'appareil est-il adapté aux exigences réglementaires en matière de fabrication et d'environnement?
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