MOSFET P Vishay Siliconix 2.68 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SC-70 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3709
Référence fabricant:
SQA401EEJ-T1_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

2.68A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SC-70

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

200mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.2nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Dissipation de puissance maximum Pd

13.6W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.35mm

Hauteur

1mm

Longueur

2.2mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
MOSFET de puissance TrenchFET®

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