MOSFET P Vishay Siliconix 10 A 40 V Enrichissement, 6 broches, SC-70-6L TrenchFET AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
178-3910
Référence fabricant:
SQA405EJ-T1_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

SC-70-6L

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.035Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

13.6W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

2.2mm

Largeur

1.35mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Hauteur

1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
MOSFET de puissance TrenchFET®

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