MOSFET canal N Vishay Siliconix 12 A 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-70-6L TrenchFET

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Code commande RS:
178-3901
Référence fabricant:
SiA106DJ-T1-GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SC-70-6L

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0185Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.9nC

Dissipation de puissance maximum Pd

19W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.2mm

Hauteur

1mm

Largeur

1.35mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV

Très faible facteur de mérite (FOM) RDS - Qg

Réglé pour le plus faible RDS - Qoss

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