MOSFET P Vishay Siliconix 10 A 40 V Enrichissement, 6 broches, SC-70-6L TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3711
Référence fabricant:
SQA405EJ-T1_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SC-70-6L

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.035Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

13.6W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

AEC-Q101

Hauteur

1mm

Largeur

1.35mm

Longueur

2.2mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
MOSFET de puissance TrenchFET®

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