MOSFET P Vishay Siliconix 10 A 30 V Enrichissement, 6 broches, SC-70 TrenchFET AEC-Q101

Voir la catégorie

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

612,00 €

HT

735,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,204 €612,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
178-3710
Référence fabricant:
SQA403EJ-T1_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SC-70

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

30mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

26nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

13.6W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

1.35mm

Longueur

2.2mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
MOSFET de puissance TrenchFET®

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.