MOSFET P Vishay Siliconix 10 A 30 V Enrichissement, 6 broches, SC-70 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3897
Référence fabricant:
SQA403EJ-T1_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SC-70

Série

TrenchFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

30mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

13.6W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

26nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1mm

Longueur

2.2mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

MOSFET de puissance TrenchFET®

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